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暂无浏览历史半导体制造技术(译者:韩郑生)
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出 版 社：
电子工业出版社
- 出版时间：2004-1-1
- ISBN：7505394932
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内容简介
在半导体领域，技术的变化遵循着摩尔定律的快速节奏，是以月而不是以年为单位计的。本书详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界都称赞这是一本目前在市场上能得到的最全面、最先进的教材。全书共分20章，章节根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排，内容包括：与半导体制作相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具本讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。
本书适合作为高等院校微电子技术专业的教材，也可作为从事半导体制造与研究人员的参考书及公司培训员工的标准教材。
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作者介绍
目录介绍
第1章 半导体产业介绍
第2章 半导体材料特性
第3章 器件技术
第4章 硅和硅片制备
第5章 半导体制造中的化学品
第6章 硅片制造中的沾污控制
第7章 测量学和缺陷检查
第8章 工艺腔内的气体控制
第9章 集成电路制造工艺概况
第10章 氧化
第11章 淀积
第12章 金属化
第13章 光刻：气相成底膜到软烘
第14章 光刻：对准和曝光
第15章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术
第16章 刻蚀
第17章 离子注入
第18章 化学机械平坦化
第19章 硅片测试
第20章 装配与封装
附录A 化学品及安全性
附录B 净化间的沾污控制
附录C 单位
附录D 作为氧化层厚度函数的颜色
附录E 光刻胶化学的概要
附录F 刻蚀化学
术语表 【媒体评论】
第2章 半导体材料特性
第3章 器件技术
第4章 硅和硅片制备
第5章 半导体制造中的化学品
第6章 硅片制造中的沾污控制
第7章 测量学和缺陷检查
第8章 工艺腔内的气体控制
第9章 集成电路制造工艺概况
第10章 氧化
第11章 淀积
第12章 金属化
第13章 光刻：气相成底膜到软烘
第14章 光刻：对准和曝光
第15章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术
第16章 刻蚀
第17章 离子注入
第18章 化学机械平坦化
第19章 硅片测试
第20章 装配与封装
附录A 化学品及安全性
附录B 净化间的沾污控制
附录C 单位
附录D 作为氧化层厚度函数的颜色
附录E 光刻胶化学的概要
附录F 刻蚀化学
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